3月17日，记者从银川经开区了解到，近日，“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在银川市举办。鉴定会现场，中国科学院专家委员会对项目进行了全面评估，一致认为该技术填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能达到国际领先水平。
据了解，大会由银川经开区企业宁夏超导泛半导体科技有限责任公司牵头，企业由宁夏盈谷实业股份有限公司、江西联创超导技术有限公司等多家企业和自然人联合投资设立。作为联创超导在超导技术产业化布局的重要一环，该公司依托联创超导在高温超导磁体技术领域的深厚积累，实现了技术转化与产业落地的深度融合。
宁夏超导泛半导体科技有限责任公司相关负责人表示，高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术，针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈，企业研制出高温超导磁控硅单晶生长装备，形成了大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长工艺，并实现了大尺寸（12吋以上）高品质硅单晶的生产。值得一提的是，公司自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术可将硅片含氧量稳定控制在 5ppma以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%。
下一步，宁夏超导泛半导体科技有限责任公司将在银川经济技术开发区建设高温超导硅单晶生长设备制造及高品质硅晶体生产基地，公司将形成世界一流的高温超导磁控硅单晶生长装备高端制造和硅单晶生产能力，为我国实现半导体材料自主可控提供关键支撑。
作者：闫茜
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